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        薄膜半导体材料制备系统

        • 快速退火炉
        快速退火炉

        快速退火炉

        产品简介:


             REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制精确,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。

         

        n 技术特色:

         

        真正的基片温度测量,无需传统的温度补偿

        红外卤素管灯加热

        极其优异的加热温度精确性与均匀性

        快速数字PID温度控制

        不锈钢冷壁真空腔室

        系统稳定性好

        结构紧凑,小型桌面系统

        带触摸屏的PC控制

        兼容常压和真空环境,真空度标准值为5×10-3Torr,采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

        最高3路气体(MFC控制)

        没有交叉污染,没有金属污染

         

        n 技术介绍:

         

               如上图,由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度,由于热电偶与基片有一定距离,测量的不是基片真实的温度,必须进行温度补偿。

             REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温,如上图,热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连,工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置,阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,片状Real T/C KIT同时被加热,由于基片与Real T/C KIT很近,它们之间也会进行热量传递,并很快达到热平衡,所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度,从而实现基片温度的真实测量。

         

        n 主要技术参数:

         

        基片尺寸:4英寸

        基片基座:石英针(可选配SiC涂层石墨)

        温度范围:150-1250℃

        加热速率:10-200℃/S

        温度均匀性:≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

         ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

        温度控制精度:≤ ±3℃

        温度重复性:≤ ±3℃

        真空度:5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

        气路供应:标准1N2吹扫及冷却气路,由MFC控制(最多可选3路)

        退火持续时间:≥35min@1250℃

        温度控制:快速数字PID控制

        尺寸:870mm*650mm*620mm

         

        n基片类型:

         

        Silicon wafers硅片

        Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

        GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LEDGaN/蓝宝石基片

        Silicon carbide wafers碳化硅基片

        Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

        Glass substrates玻璃基片

        Metals金属

        Polymers聚合物

        - Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

        n应用领域:

            离子注入/接触退火,快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN),可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介电材料,晶体化,致密化,太阳能电池片键合等。



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